[21p-A205-1~21] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

[21p-A205-16] シリコンフォトニクス用AlN膜の低温反応性スパッタリング

〇(M2)福島 孝晃¹、Piedra Lorenzana Jose A.¹、飛沢 健¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：シリコンフォトニクス、AlN

SiN_xは熱光学係数が小さく、光共振器や干渉素子の熱的安定動作に優位性があり、二光子吸収を抑制できることから非線形素子にも適している。一方、キャリアプラズマ効果により屈折率を制御できるSiと異なり、電気的な屈折率制御が難しく、変調・スイッチング素子の作製に難がある。AlNはSiN_xと同等の屈折率と熱光学係数をもつことに加え、Pockels効果や圧電効果をもつため、光制御素子への応用が検討されている。結晶性・配向性が重要であり、スパッタ堆積膜では高温熱処理がしばしば適用されている。本研究では、熱処理を排除する観点でAlN膜のスパッタ条件を検討したので報告する。