[21p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-B201-9] 量子殻 GaN 系 LD の n-GaN 埋め込み層の 3 段階成長に関する検討

〇高橋 美月¹、山村 志織¹、神野 幸美¹、中山 奈々美¹、勝呂 紗衣¹、山中 優輝¹、伊井 詩織¹、島 綾香¹、稲葉 颯磨¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹ (1.名城大理工)

キーワード：ナノワイヤ