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△ [21p-B203-1] ミストCVD法によるβ-(AlxGa1-x)2O3/β-(InxGa1-x)2O3/β-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長
キーワード:酸化ガリウム、ミストCVD法、ワイドバンドギャップ
酸化ガリウム(Ga2O3)は約4.8 eVと非常に大きなバンドギャップを有しているため、次世代パワー半導体材料として注目されている。本研究では(010) β-Ga2O3基板上へβ-(AlxGa1-x)2O3/β-(InxGa1-x)2O3ヘテロエピタキシャル成長を試み、その構造解析などを行った。