The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Sep 21, 2022 1:15 PM - 6:45 PM B203 (B203)

Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.), Kosaku Shimizu(Nihon Univ.)

3:45 PM - 4:00 PM

△ [21p-B203-10] Single crystal growth of (InGaO3)1(ZnO)2 by the pressurized Optical Floating Zone method and physical property

〇Tadahito Inoue1, Kawamura Yusuke1, Kase Naoki1, Miyakawa Nobuaki1 (1.Tokyo Univ of Scie.)

Keywords:transparent oxide semiconductor, single crystal growth, floating Zone method

(InGaO3)1(ZnO)n （IGZO-1n）は空間群が奇数と偶数で異なる。これまでにIGZO大型単結晶の研究は、当研究で加圧条件下でのOptical Floating Zone 法を用いて育成したIGZO-11とIGZO-13の単結晶の報告があるが、IGZO-1n（n = 偶数）はない。本研究では、 IGZO-12の大型単結晶育成とそのバルク物性を報告する。