[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-12] (Ga_xIn_1-x)₂O₃ 固溶体によるβ-Ga₂O₃構造の電子状態・欠陥制御の検討

〇(M1C)成 浩^1,2、宝賀 剛³、上田 茂典²、小椋 厚志^1,4、知京 豊裕²、長田 貴弘^2,1 (1.明大理工、2.物材機構、3.鶴岡高専、4.明大MREL)

キーワード：Ga2O3、In2O3、欠陥制御

Ga₂O₃ はワイドバンドギャップ(～4.8 eV)で、8 MV/cm という高い絶縁破壊電界を持ち、次世代ワイドバンドギャップ半導体として期待されている。Ga₂O₃ の酸素欠損のイオン化エネルギが高く、電気伝導への寄与が小さいと知られているため、不純物導入によるキャリア制御が一般的である。一方、ドーピングにおいてもGa₂O₃の強い結合に対して置換とキャリア活性しにくいと報告されている。本研究は、(Ga_xIn_1-x)₂O₃ 混晶を形成することでβ-Ga₂O₃構造の電子状態の維持できるIn濃度と欠陥導入について検討した。