[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-14] Mist CVD法により成長したα-In₂O₃薄膜のキャリア濃度とホール移動度の温度依存性

〇田口 義士¹、尾沼 猛儀¹、後藤 健²、金子 健太郎³、熊谷 義直²、本田 徹¹、藤田 静雄³、山口 智広¹ (1.工学院大、2.東京農工大、3.京都大)

キーワード：Mist CVD、酸化インジウム、キャリア濃度とホール移動度

Mist CVD法によりα-In₂O₃薄膜を成長し、キャリア濃度とホール移動度の温度依存性を評価した。