[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [21p-B203-16] Epitaxial growth of rh-IMO thin films on c-plane sapphire substrate by mist-CVD

〇Takayuki Ishino¹, Kazuki Shimazoe¹, Kazutaka Kanegae¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:semiconductor, mist CVD, epitaxial growth

申請者はミストCVD法を用いた透明導電酸酸化物半導体の形成に取り組んでおり、本研究では準安定相のIMOエピタキシャル薄膜の形成に成功した。