[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-7] サファイア基板上の単結晶ZnO薄膜作製におけるバッファー層評価指標

〇山下 尚人¹、中村 優太¹、鎌滝 晋礼¹、奥村 賢直¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲^1,2、白谷 正治¹ (1.九大院シス情、2.NINS)

キーワード：酸化亜鉛、結晶成長、逆SKモード

逆SKモード成長は格子不整合率18%のサファイア基板上に３次元島構造の緩衝層を作製することにより酸化亜鉛の単結晶薄膜を作製する技術である。本研究では基板温度を変化させて緩衝層を作製し、それらの構造と緩衝層上に成長させた単結晶酸化亜鉛膜の構造を評価することにより性能指標の定量的な関係式を発見した。