[21p-C102-1~17] 9.4 熱電変換

[21p-C102-5] Si基板上エピタキシャルBaSi₂薄膜における欠陥導入による低熱伝導率化

〇石部 貴史¹、谷内 卓²、山下 雄大²、佐藤 拓磨^2,3、末益 崇²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.筑波大院、3.広島大院)

キーワード：熱電材料、シリサイド、熱伝導率

BaSi₂は複雑な結晶構造を有するため、低いフォノン群速度由来の低い熱伝導率が期待できる有力な熱電材料の候補である。これまで我々は、Si基板上にエピタキシャルBaSi₂薄膜を形成し、1 Wm^-1K^-1以下の極小熱伝導率を観測した。しかし、この極小熱伝導率の詳細な物理は明らかになっていない。本研究では、理論、実験の両面からフォノンの群速度、散乱確率を分離して熱伝導率低減の機構を詳細に理解することを目的とする。