[21p-C102-1~17] 9.4 Thermoelectric conversion

[21p-C102-7] Thermoelectric performance in ductile semiconductor Ag_2-xCu_x S_0.7Te_0.3

〇(D)Kosuke Sato¹, Keisuke Hirata¹, Saurabh Singh¹, Masaharu Matsunami¹, Tsunehiro Takeuchi¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:ductility, Ag chalcogenides, degenerate semiconductor

Ag₂S_0.7Te_0.3は延性を持つ化合物縮退半導体である．その熱電無次元性能指数（ZT）は600 Kにおいて最大で0.8程度と大きいものの，最も多くの排熱が存在する373 K以下ではZTが0.3〜0.4 程度であり，改善の余地がある．我々は，Cu原子によるAgサイトの部分置換により，キャリア濃度制御を通して比抵抗，ゼーベック係数，熱伝導度を制御出来ると考えた．本講演では，373 K以下の低温域におけるCu原子置換によるZTの変化を報告する．