[21p-C105-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21p-C105-6] “PN-Body Tied SOI-FET”による単一デバイスニューロン動作

〇森 貴之¹、井田 次郎¹ (1.金沢工大)

キーワード：ニューロモルフィック、SOI MOSFET、スパイキングニューラルネットワーク

次世代の低消費電力な人工知能用電子回路としてSpiking neural network (SNN)を用いたニューロモルフィックチップの研究開発が行われている. SNNではニューロンの発火現象を回路上で模倣する必要があり, 近年, 単一デバイスでその機能を再現する方法が検討されている. 本稿では我々が提案しているデバイスであるPN-Body Tied (PNBT) SOI-FETを用いた, 単一デバイスによるニューロン動作を検討したので報告する.