[21p-C202-1~8] 17.3 Layered materials

[21p-C202-4] Electrical characterization of methylated germanane thin-film transistors

〇(M1)Yuki Hiraoka¹, Yudai Suzuki¹, Naoki Matsuura¹, Osamu Kubo¹, Hiroshi Tabata¹, Mitsuhiro Katayama¹ (1.Grad. Sch. Eng., Osaka Univ.,)

Keywords:group 14 layered materials, semiconductor, field effect transistor

近年、半導体の新材料の研究が盛んに行われている。中でもグラフェンに代表される14族層状物質が注目を集めており、本研究ではメチル基で終端した層状ゲルマニウムであるメチル化ゲルマナン（GeCH₃）に注目した。GeCH₃は直接バンドギャップと高い正孔移動度を持つと理論的に予測されている。しかし、実際にGeCH₃をFETに応用した例はないため、本研究ではGeCH₃薄膜トランジスタを作製し、電気特性について調べた。