[21p-C202-1~8] 17.3 層状物質

[21p-C202-4] メチル化ゲルマナン薄膜トランジスタの電気特性評価

〇(M1)平岡 佑貴¹、鈴木 雄大¹、松浦 直毅¹、久保 理¹、田畑 博史¹、片山 光浩¹ (1.阪大院工)

キーワード：14族層状物質、半導体、電界効果トランジスタ

近年、半導体の新材料の研究が盛んに行われている。中でもグラフェンに代表される14族層状物質が注目を集めており、本研究ではメチル基で終端した層状ゲルマニウムであるメチル化ゲルマナン（GeCH₃）に注目した。GeCH₃は直接バンドギャップと高い正孔移動度を持つと理論的に予測されている。しかし、実際にGeCH₃をFETに応用した例はないため、本研究ではGeCH₃薄膜トランジスタを作製し、電気特性について調べた。