[21p-C306-1~5] 7.2 電子ビーム応用

[21p-C306-1] 反応性スパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の窒素組成依存性

〇大住 知暉^1,2、長尾 昌善²、後藤 康仁¹ (1.京大院工、2.産総研)

キーワード：窒化ハフニウム、仕事関数、窒素組成

反応性スパッタ法を用いて、窒化ハフニウム(HfN)薄膜を成膜した。HfN薄膜の仕事関数をケルビン法により大気中で、窒素組成を非ラザフォード後方散乱法により評価し、窒素組成と仕事関数の関係を調べた。窒素組成(N/Hf)が0.57-1.09の範囲で仕事関数は4.49-4.75 eVであり、窒素組成が低下すると、仕事関数が低下することを確認した。