[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

[21p-M206-5] 絶縁膜/GaN 界面の化学・電子状態評価－光電子分光分析からの知見

〇宮崎 誠一¹、大田 晁生¹ (1.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、絶縁膜界面、光電子分光

GaN表面および絶縁膜/GaN界面近傍の化学結合状態や電子状態（特に欠陥密度のエネルギー分布）について、主として光電子分光分析（XPSやPYS）で得られた知見に基づいて、界面制御の指針を議論する。