[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

[21p-M206-7] SiO₂/β-Ga₂O₃ MOS特性とその熱処理による変化

〇喜多 浩之¹ (1.東大新領域)

キーワード：ワイドギャップ半導体、酸化ガリウム、MOS界面

β-Ga₂O₃は大きなバンドギャップと，結晶成長技術の急速な進展からパワーデバイス応用が期待されるものの，まだMOS界面形成技術は確立されていない。本研究ではゲート絶縁膜として，大きな伝導帯オフセットをつくり，Ga₂O₃と反応性のないSiO₂を適用したところ，1000℃アニール後にも平坦な界面を維持し，良好なMOS特性を示した。約3eVの界面伝導帯オフセットはGa₂O₃表面のUPS評価結果とも概ね整合した。