[21p-P12-1~54] 17 ナノカーボン(ポスター)

[21p-P12-53] 二次元WSe₂電荷トラップメモリにおけるシナプス動作

〇(M1)櫛原 快児¹、稲田 貢¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、上野 啓司³、山本 真人¹ (1.関西大院理工、2.物材機構、3.埼玉大院理工)

キーワード：二次元半導体、遷移金属ダイカルコゲナイド、シナプスデバイス

本研究では表面に極薄酸化膜を有する二次元WSe₂を用いて電荷トラップメモリを作製し、そのドレイン電流値の可塑性(シナプス特性)について評価した。作製した二次元WSe₂電荷トラップメモリのドレイン電流値は、印可するゲート電圧の最大値に対して多段階的に変化し多値性を示すことが分かった。さらに、ドレイン電流がゲート電圧パルスの印可数に対して可塑的に増加・減少することも分かった。