[22a-A102-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[22a-A102-2] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) –タイプ4と5の識別-

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：単一界面欠陥、両性準位、電子捕獲素過程

タイプ4とタイプ5の欠陥は，共にfq（f:ゲートパルス周波数，q:電気素量）のCP電流を示し，かつ，CP電流にゲートパルス立上り時間依存性や立下り時間依存性が無いという共通した特徴を有しているため識別が困難であった．しかし，これまで報告してきた結果に基づいて，伝導帯電子の捕獲時定数の違いからこれらの欠陥の識別が可能になったことを示す．