[22a-A102-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [22a-A102-5] Evaluating the Temperature Dependence of Charge Noise in a pMOS Si Quantum Dot

〇Kazuma Nakagoe¹, Ryuta Tsuchiya², Toshiyuki Mine², Digh Hisamoto², Hiroyuki Mizuno², Raisei Mizokuchi¹, Jun Yoneda¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech, 2.R&D Group, Hitachi Ltd.)

Keywords:Si quantum dot, qubit, charge noise

シリコン量子ドットに生じる電荷ノイズを理解することは、量子ビットの操作精度向上に繋がる重要課題である。本研究では、pMOSシリコン量子ドットにおいて生じる電荷ノイズの温度依存性を極低温環境下で評価した。数十Hz付近で生じたローレンツ型ノイズは顕著な温度依存性を示し、アレニウスの関係式よりこの特性を説明できることが分かった。講演では、温度依存性の解析から得られる電荷ノイズの微視的機構についても議論する。