[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

[22a-B102-3] Improvement of the crystallinity and surface morphology of MBE grown SnTe films by introducing the ZnTe buffer layer

〇(M2)Nan Su¹, Shotaro Kobayashi¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ. Dept. of EE. & BS., 2.Waseda Univ. Inst. for Mat. Sci.& Tech.)

Keywords:molecular beam epitaxy, SnTe, X-ray diffraction

本研究では、結晶性の改善のためGaAs 基板上にバッファ層を成長し、その上にSnTe層を作製することを検討した。GaAsとSnTeの格子定数の中間にあり、Te系材料ということで今回はZnTeをバッファ層材料とすることとした。