[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[22a-B102-3] MBE成長SnTe薄膜のZnTe層の導入による結晶性と表面状態の改善

〇(M2)蘇 楠¹、小林 昇太郎¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：分子線エピタキシー法、SnTe、X線回折法

本研究では、結晶性の改善のためGaAs 基板上にバッファ層を成長し、その上にSnTe層を作製することを検討した。GaAsとSnTeの格子定数の中間にあり、Te系材料ということで今回はZnTeをバッファ層材料とすることとした。