[22a-B202-1~11] 17.3 層状物質

[22a-B202-3] アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WO_x)をソース/ドレイン電極に用いたWSe₂ n/p FETとCMOSインバータ応用

〇川那子 高暢¹、梶川 亮介²、水谷 一翔²、Tsai SungLin²、宗田 伊理也²、星井 拓也²、角嶋 邦之²、筒井 一生¹、若林 整² (1.東工大未来研、2.東工大工)

キーワード：WSe2、CMOSFET、CMOS Inverter