[22a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-B204-1] TCADデバイスシミュレーションによるSiCサイドゲートJFETにおける短チャネル効果の解析

〇前田 憲幸¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、接合型電界効果トランジスタ、短チャネル効果

我々はp-、n-JFETで構成される相補型JFET(CJFET)を提案し、SiC CJFET論理ゲートの350℃動作を報告した。CJFETの高速化のために極端な短チャネル化を行うと短チャネル効果が発現し、特性劣化が問題となる。本研究では、ドーピング密度や構造を自由に設定できるTCADによるデバイスシミュレーションを行い、JFETにおける短チャネル効果の発現とポテンシャル分布の変化について考察した。