[22a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [22a-B204-1] TCAD-based Analysis of Short-Channel Effects in SiC Side-gate JFETs

〇Noriyuki Maeda¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Silicon carbide, Junction field-effect transistor, Short-channel effects

我々はp-、n-JFETで構成される相補型JFET(CJFET)を提案し、SiC CJFET論理ゲートの350℃動作を報告した。CJFETの高速化のために極端な短チャネル化を行うと短チャネル効果が発現し、特性劣化が問題となる。本研究では、ドーピング密度や構造を自由に設定できるTCADによるデバイスシミュレーションを行い、JFETにおける短チャネル効果の発現とポテンシャル分布の変化について考察した。