[22a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-B204-2] 半絶縁性SiC基板へのイオン注入によるボトムゲートJFETの作製

〇柴田 峻弥¹、松岡 大雅¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：半導体デバイス、SiC、JFET