[22a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22a-B204-3] Electrical Characteristics of gated SiC pn diodes

〇Kotaro Ano¹, Kuniyuki Kakushima¹, Kazuo Tsutsui², Hitoshi Wakabayashi¹, Takuya Hoshii¹, Takashi Yoda^2,3 (1.Tokyo Tech. School of Eng., 2.Tokyo Tech. IIP, 3.NuFlare Tech. Inc.)

Keywords:semiconductor, gated pn diode

従来のSiCpnダイオードでは、製作時に生じる様々な問題から、理想的なダイオード特性を得ることは難しい。そこで周辺電流の測定に用いられるゲート付きダイオードを製作し、ゲート電圧を印加してpn接合の電気的特性を測定したところ、一定のn値抑制効果を得られたので、ここに報告する。