[22a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-B204-5] 4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおけるトンネル電流の理論解析

〇村上 勇徳¹、永溝 幸周¹、田中 一¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、SiC