[22a-C200-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22a-C200-3] N-type conducting AlInN/GaN DBRs with AlGaN graded layers

〇Kenta Kobayashi¹, Kana Shibata¹, Tsuyoshi Nagasawa¹, Ruka Watanabe¹, Kodai Usui¹, Sho Iwayama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:VCSEL, DBR

実用化されているGaAs系VCSELには、導電性DBRが用いられている。GaN系VCSEL においても、高性能化に向けて導電性 AlInN/GaN DBR の導入が検討されている。しかし、その光出力は非導電性 DBR の場合と比較すると約 6 割に留まり、その要因として導電性 DBR の結晶品質低下が考えられている。本報告では、導電性と結晶品質の両立を可能にするAlGaN 組成傾斜層を有する導電性DBRを検討した。