[22a-C200-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22a-C200-4] Trench defect reduction in high InN mole fraction GaInN quantum wells with AlN cap layers

〇Motoki Nakano¹, Ruka Watanabe¹, Tsuyoshi Nagasawa¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:GaInN quantum well, epitaxial growth, AlN cap layer

高品質な高InNモル分率GaInN量子井戸の作製において、井戸層上に様々なキャップ層を導入した報告が数多くされている。本研究では、キャップ層のAlNモル分率、膜厚を変化させた。GaNキャップ層では0.2～0.4 µm程度のトレンチ欠陥が観察されたが、AlNモル分率が高くなるにつれ、縮小するとともに密度も減少し、AlNキャップ層では消失した。また、AlNキャップ層の膜厚を0.1nmまで薄くした場合でも、このトレンチ欠陥は抑制されることがわかった。