[22a-C200-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-C200-5] 成長後高温熱処理によるEu,O共添加GaNの発光中心再構成とEu赤色発光の高効率化

〇岩谷 孟学¹、市川 修平^1,2、Dolf Timmerman¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター)

キーワード：GaN:Eu、赤色発光ダイオード

我々はこれまでに、有機金属気相成長法によりEu,O共添加GaN (GaN;Eu,O) を活性層とした赤色発光ダイオードを実現している。結晶性を考慮して最適化したGaN:Eu,O層の成長温度(~960°C)では、Eu原子の拡散係数が小さく、Euの集合体により発光効率が低い発光中心が多く形成される。本研究では、GaN:Eu,O層を成長後に高温熱処理を施すことで、発光効率が高い発光中心の形成が可能であることを見出し、それによるGaN:Eu,Oの高輝度化に成功したので報告する。