[22a-P04-1~14] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22a-P04-9] 斜入射スパッタリング法により作製したSnO₂薄膜のガスセンシング特性

〇亀田 悠真¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大工、2.関東学院大材料表面研)

キーワード：スパッタリング法、酸化スズ、斜入射堆積法

SnO₂はガスセンサー材料としてよく利用されている．本研究では，斜入射堆積スパッタリング法により離散的柱状構造を有するSnO₂薄膜を作製し，そのガスセンシング特性を調べることを目的とする．作製したSnO₂薄膜は，いずれも緻密な柱状構造であった．ガスセンシング特性はエタノール暴露後，最大約51 ％の電気抵抗降下が認められた．