[22p-A202-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

[22p-A202-1] プラズマ CVD 法による Si および N 添加 DLC 膜の電気特性に及ぼす H₂および Ar 希釈の効果

〇佐々木 祐弥¹、長内 公哉¹、室野 優太¹、佐藤 聖能¹、小林 康之¹、遠田 義晴¹、鈴木 裕史¹、中澤 日出樹¹ (1.弘前大院理工)

キーワード：ダイヤモンドライクカーボン、プラズマCVD法

希釈ガスとしてH₂およびArを用いたプラズマCVD法によりSi-N-DLC膜を作製し、水素流量比[H₂/(H₂+Ar)]がSi-N-DLC膜の電気的特性に与える影響について調べた。Si-N-DLC/p型Siヘテロ接合の光照射下における開放電圧、短絡電流、フィルファクタ、変換効率を評価した。また、変換効率を向上させるためには、直列抵抗成分の低減が必要であることがわかった。