[22p-A202-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

[22p-A202-13] バイアス変化によるシリコン上配向ダイヤモンド核の選択形成

〇(M2)有路 颯樹¹、森田 豪¹、吉田 あかり¹、一色 秀夫¹ (1.電通大)

キーワード：シリコン上ヘテロエピキシャルダイヤモンド、ダイヤモンド薄膜

本研究ではa-Cからの相転移由来の非配向ダイヤモンド核とモノメチルシラン由来の配向ダイヤモンド核の発生時間の違いに着目し、そのバイアス依存性から、配向核のみをシリコン基板上に発生させることを目的とした。負バイアス時間を短くすることで、非配向核が発生しないことを示した。また配向核密度は負バイアス時間およびバイアス電圧、MMS流量に相関があることが分かった。条件の最適化から配向核のみを選択することに成功した。