[22p-A202-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

△ [22p-A202-20] インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪のメカニズム－サファイア基板とMgO基板の比較－

〇(M2)真崎 瞭¹、高谷 亮太¹、小山 浩司²、嘉数 誠¹、金 聖祐² (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石（株）)

キーワード：ダイヤモンド半導体、サファイア、ヘテロエピタキシャル成長

ダイヤモンドはGaNやSiCと比べ、高い絶縁破壊電界やキャリア移動度から、高周波で高効率に電力を制御する次世代パワーデバイスとして期待されている。実用化には大口径ウェハが必要な中、我々はサファイア基板上に2インチ径の最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長に成功した。ここではX線回折法を用いたサファイア基板上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長機構を、従来のMgO基板と比較したので報告する。