[22p-A202-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

[22p-A202-21] インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程－サファイア基板とMgO基板の比較－

〇(M2)真崎 瞭¹、高谷 亮太¹、小山 浩司²、嘉数 誠¹、金 聖祐² (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石（株）)

キーワード：ダイヤモンド半導体、サファイア、初期成長機構

ダイヤモンドはGaNやSiCと比べ、高い絶縁破壊電界やキャリア移動度から、高周波で高効率に電力を制御する次世代パワーデバイスとして期待されている。実用化には大口径ウェハが必要な中、我々はサファイア基板上に2インチ径の最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長に成功した。ここでは主にAFMを用いサファイア基板上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する初期過程を、従来のMgO基板と比較したので報告する。