[22p-A202-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

[22p-A202-3] C₂H₂/N₂混合気体に対するマイクロ波プラズマCVDで生成した高窒素含有a-CN_x:H薄膜の形成 ¾ [N]/([N]+[C])>0.5は達成できるか？

〇伊藤 治彦¹、佐藤 悠雅¹、鈴木 常生¹、斎藤 秀俊¹ (1.長岡技科大（工）)

キーワード：水素化アモルファス窒化炭素、プラズマCVD

本研究は高窒素含有水素化アモルファス窒化炭素薄膜の合成に関するものである。極微量のC₂H₂をN2に添加した混合気体をマイクロ波で放電励起し、放電生成物をSi基板上に堆積させた。XPS Nexsaを用いて薄膜内部の元素分析を行った結果、[N]/([N]+[C])の最大値は0.56であった。