2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[22p-A202-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

2022年9月22日(木) 13:00 〜 19:00 A202 (A202)

青野 祐美(鹿児島大)、山田 英明(産総研)、大曲 新矢(産総研)

13:45 〜 14:00

[22p-A202-4] マグネトロンスパッタ法により作製した炭化ホウ素膜特性に及ぼす水素の効果

西田 竜也1、谷口 颯1、佐藤 聖能1、小林 康之1、遠田 義晴1、鈴木鈴木 裕史1、吹留 博一2、中澤 日出樹1 (1.弘前大、2.東北大)

キーワード:炭化ホウ素

B4Cターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法により炭化ホウ素(B₄C)薄膜を作製し、Ar に対するH2の流量比が膜特性に及ぼす影響を調べた。H2流量比の増加と共に臨界荷重(付着力)は減少し、このとき内部応力と負の相関関係があることがわかった。またH2流量比が増加すると、光学バンドギャップおよび比抵抗は増加した。これら諸特性と構造・化学結合状態との関連性を議論した。