[22p-A307-1~17] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

△ [22p-A307-12] Thickness-dependency of ferroelectric property in HfO₂-CeO₂ film

〇Koji Hirai¹, Takahisa Shiraishi^1,2, Wakiko Yamaoka³, Risako Tsurumaru³, Yukari Inoue³, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.Kumamoto Univ., 3.TDK Corp)

Keywords:ferroelectric film, HfO2-based film

HfO₂基膜は、数nmの極薄膜領域でも強誘電性を維持しCMOSプロセスとの整合性に優れるためメモリデバイス等への応用に期待される強誘電体材料である。しかし、現在広く調査が行われているHfO₂-ZrO₂膜は膜厚の増加に伴う強誘電性の低下が懸念されている。そこで本研究ではHfO₂やZrO₂と同様に蛍石型構造を有し、高対称相である立方晶相をとるCeO₂との固溶体膜を作製し、その強誘電性の膜厚依存性調査したので報告する。