[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-9] 強誘電性 HfN_x薄膜の形成と MFSFET の動作特性に関する検討

〇井出 明徳¹、田沼 将一¹、井原 爽生¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大院工)

キーワード：強誘電性HfNx、強誘電体ゲートトランジスタ、ECRプラズマスパッタ法

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。しかし、SiO₂界面層が形成されメモリ特性が劣化するという課題がある。本研究では、界面層の形成を抑制可能なHfN_x薄膜に着目し、強誘電性を示すHfN_x薄膜のSi基板上への形成とMFSFETの作製に関して報告する。