[22p-A307-1~17] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[22p-A307-8] Investigation of the decrease of interfacial layer thickness for the ferroelectric nondoped HfO₂ formation and device characteristics of MFSFET

〇Masakazu Tanuma¹, Joong-Won Shin¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst. of Technology)

Keywords:Ferroelectric non-doped HfO2, MFSFET, RF magnetron sputtering

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。前回、我々はMFSFETにおける界面層厚の低減について報告した。今回、界面層厚を低減した強誘電性ノンドープHfO₂薄膜を用いたMFSFETの動作特性に関する検討を行ったので報告する。