The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[22p-A406-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Thu. Sep 22, 2022 1:00 PM - 5:00 PM A406 (A406)

Toru Harigai(Toyohashi Univ. of Tech.), Takayoshi Tsutsumi(名大)

3:30 PM - 3:45 PM

[22p-A406-10] Room-temperature Growth of HfO2/SiO2 film by Neutral Beam Enhanced Atomic Layer Deposition with Electrical Characteristics

Daisuke Ohori1, Yi-Ho Chen2, Takuya Ozaki1, Kazuhiko Endo3, Yiming Li2, Seiji Samukawa2,1,4 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.NYCU, 3.AIST, 4.AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:neutral beam enhanced atomic layer deposition, high-k material, gate oxide film

本研究では、低温NBEALDを用いてSi基板上にアモルファスHfO2/SiO2構造を形成し、そのHfO2薄膜の変化を評価した。結果より、100サイクル以上で屈折率1.85以上となり、200サイクルの時には1.90に達し、Monoclinic膜相当となった。