[22p-A406-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[22p-A406-10] 中性粒子ビーム原子層堆積法による室温成長HfO₂/SiO₂膜の電気特性

〇大堀 大介¹、Chen Yi-Ho²、尾崎 卓哉¹、遠藤 和彦³、Li Yiming²、寒川 誠二^2,1,4 (1.東北大流体研、2.NYCU、3.産総研、4.東北大AIMR)

キーワード：中性粒子ビーム励起原子層堆積法、高誘電材料、ゲート酸化膜

本研究では、低温NBEALDを用いてSi基板上にアモルファスHfO₂/SiO₂構造を形成し、そのHfO₂薄膜の変化を評価した。結果より、100サイクル以上で屈折率1.85以上となり、200サイクルの時には1.90に達し、Monoclinic膜相当となった。