[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22p-B204-11] HVPE法成長GaN縦型p-n 接合ダイオードにおける逆方向リーク源の探索

〇田中 大貴¹、大西 一生²、川崎 晟也¹、新田 州吾²、藤元 直樹²、渡邉 浩崇²、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大ARC、4.名大VBL)

キーワード：ハライド気相成長法、p-n接合ダイオード、窒化ガリウム

ハライド気相成長(HVPE)法は短時間で高純度の厚膜GaN層を成長できることから, 縦型GaNパワーデバイス構造の成長手法として注目されている。我々は前回HVPE法のみを用いて縦型GaN p-n接合ダイオード(HVPE-PND)の作製を報告した。アバランシェ降伏を観測したものの逆方向電圧印加時に大きなリーク電流が生じている。そこで 本研究では, HVPE-PNDの逆方向リーク電流の要因特定のために, エミッション顕微鏡とエッチピット法を用いた解析を試みたので報告する。