[22p-B204-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22p-B204-10] Breakdown field of GaN p⁺-n and p-n⁺ diodes with various doping concentration

〇Takuya Maeda¹, Tetsuo Narita², Shinji Yamada^3,4, Tetsu Kachi³, Tsunenobu Kimoto¹, Masahiro Horita^1,3,5, Jun Suda^1,3,5 (1.Kyoto Univ,, 2.Toyota Central R&D Labs. Inc., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.ULVAC Inc., 5.Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Avalanche Breakdown, p-n junction

パワーデバイスの耐圧設計や安全動作領域の予測には，絶縁破壊の理解が不可欠である．近年，GaNのアバランシェ破壊の基礎研究に進展が見られ，衝突イオン化係数についても複数報告されている．これまで，耐圧維持層がn型であるGaN p⁺-n接合ダイオードについては複数の試作報告があるものの，p-n⁺接合の絶縁破壊は調べられていない．本研究では，様々なドーピング密度のGaN p-n⁺接合およびp-n⁺接合における絶縁破壊特性を詳細に調べたので報告する．