[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22p-B204-14] p型分極ドープAlGaN 層中のShockley-Read-Hall寿命

〇隈部 岳瑠¹、川崎 晟也¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗^1,3、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：窒化ガリウム、分布型分極ドーピング、SRH寿命

分布型分極ドーピング(Distributed Polarization Doping: DPD)は不純物ドーピングを補完するⅢ族窒化物半導体・電導性制御技術として注目されている．特に，p型DPDはMgドーピングで課題となる空孔欠陥の導入を根本的に抑制し，p型層中におけるキャリア寿命を大幅に改善できる可能性がある．しかし，p型DPDで作製した膜中のキャリア寿命は明らかにされていない．本研究ではAlGaNをベースとしたp型DPDを用いてp-n⁺接合を作製しSRH寿命を評価したので報告する．