[22p-B204-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22p-B204-15] Two-dimensional characterization of the edge structure of Ni/n-GaN Schottky contacts under applied voltage by scanning internal photoemission microscopy

〇Hiroki Imabayashi¹, Fumimasa Horikiri², Yoshinobu Narita², Noboru Fukuhara², Tomoyoshi Mishima³, Kenji Shiojima¹ (1.Univ. of Fukui, 2.SCIOCS, 3.Hosei Univ.)

Keywords:SIPM, Two-dimensional characterization, Gallium Nitride

GaNハイパワーデバイスの耐圧向上を図るため、電極端面における不連続な部分で発生する電界集中を緩和する電極構造が研究されている。しかし、電極面内の電界の不均一を評価する適切な手法は現時点で存在しない。本研究では、界面顕微光応答法(SIPM : Scanning Internal Photoemission Microscopy) を用いて異なる電極端面構造を有するNi/n-GaNショットキー電極を評価し、電界分布を可視化する実験を行った。