[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-15] 電圧印加界面顕微光応答法によるNi/n-GaNショットキー接触の電極端面構造の二次元評価

〇今林 弘毅¹、堀切 文正²、成田 好伸²、福原 昇²、三島 友義³、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)

キーワード：界面顕微光応答法、二次元電界評価、窒化ガリウム

GaNハイパワーデバイスの耐圧向上を図るため、電極端面における不連続な部分で発生する電界集中を緩和する電極構造が研究されている。しかし、電極面内の電界の不均一を評価する適切な手法は現時点で存在しない。本研究では、界面顕微光応答法(SIPM : Scanning Internal Photoemission Microscopy) を用いて異なる電極端面構造を有するNi/n-GaNショットキー電極を評価し、電界分布を可視化する実験を行った。