[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-2] スパッタ成膜 SiO₂/GaN 構造における Ga 拡散抑制効果

〇(B)大西 健太郎¹、小林 拓真¹、溝端 秀聡¹、野﨑 幹人¹、吉越 章隆²、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.大阪大学、2.原子力機構)

キーワード：窒化ガリウム、MOS、半導体

縦型GaN デバイスの応用には高品質MOS構造の形成が不可欠である。プラズマCVDによるSiO₂成膜とO₂-PDAの組み合わせにより優れたSiO₂/GaN 界面特性が得られるが，成膜時にGaO_x界面層が形成され，O₂-PDA により成長する過程でGa原子がSiO₂中に拡散する。一方で，スパッタ成膜では界面のGaO_x層が抑制できる。従って本研究では，そのような界面に対しPDA時のGa拡散挙動をSIMS分析により調査した。また，SR-XPSによりPDA時のGaO_x層成長を観察することで，拡散挙動との相関を調べた。