[22p-B204-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [22p-B204-3] Study of intermediate layer of SiO₂/GaN interface by first-principles calculation

〇(M1)Shuto Hattori¹, Atsushi Oshiyama², Kenji Shiraishi^2,1, Seiichi Miyazaki¹, Heiji Watanabe³, Katsunori Ueno⁴, Ryou Tanaka⁴, Tsurugi Kondou⁴, Shinya Takashima⁴, Masaharu Edo⁴ (1.Graduate School of Eng, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.Graduate School of Eng, Osaka Univ., 4.Fuji Electric)

Keywords:GaN, hole traps, MOSFET

電力効率・動作速度の優れた次世代パワーデバイスであるGaN-MOSFETの研究開発が、現在盛んに行われている。その中でGaN/SiO₂界面の特性を調べる実験が行われ、界面に多量のホールトラップの存在が報告されている。界面の作製ではGaN上にSiO₂を成膜する過程でGaN表面にGaO_x層を形成することが報告されている。本研究では、GaO_xとSiO₂が混成したGa, Si, O原子から成る中間層がホールトラップの起源になるのかを第一原理計算を用いて調査した。