[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22p-B204-3] 第一原理計算によるSiO₂/GaN界面の中間層の研究

〇(M1)服部 柊人¹、押山 淳²、白石 賢二^2,1、宮崎 誠一¹、渡部 平司³、上野 勝典⁴、田中 亮⁴、近藤 剣⁴、高島 信也⁴、江戸 雅晴⁴ (1.名大院工、2.名大未来研、3.阪大院工、4.富士電機)

キーワード：GaN、ホールトラップ、MOSFET

電力効率・動作速度の優れた次世代パワーデバイスであるGaN-MOSFETの研究開発が、現在盛んに行われている。その中でGaN/SiO₂界面の特性を調べる実験が行われ、界面に多量のホールトラップの存在が報告されている。界面の作製ではGaN上にSiO₂を成膜する過程でGaN表面にGaO_x層を形成することが報告されている。本研究では、GaO_xとSiO₂が混成したGa, Si, O原子から成る中間層がホールトラップの起源になるのかを第一原理計算を用いて調査した。