[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-6] Mgイオン注入GaNの正孔濃度の活性化アニール温度依存性

〇大森 雅登¹、渡邉 健太²、坪井 辰哉¹、日高 昭日¹、大川 峰司² (1.大分大、2.ミライズ)

キーワード：窒化ガリウム、超高圧アニール、ホール効果

本研究では，Mgをイオン注入したGaNを1GPaの超高圧下で1400℃以上で活性化アニール処理を行った試料に対し，ホール効果測定を用いて正孔濃度の活性化アニール温度依存性を評価した。